高k和CVD ALD金属前体市场规模，份额和趋势分析报告，按技术(互连，乐鱼体育手机网站入口电容器，栅极)，按地区(北美，欧洲，亚太，中东和非洲，拉丁美洲)，以及细分市场预测，2021 - 2028

报告概述

2020年，全球高k和CVD ALD金属前体市场规模为4.821亿美元，预计2021年至202乐鱼体育手机网站入口8年将以6.2%的复合年增长率(CAGR)增长。市场的增长可归因于金属有机复合材料的低热稳定性。主要公司的广泛研发活动有望改善铜金属化工艺，预计将加速对微电子设备上第一排金属薄膜(导电)和介电(绝缘)前体沉积的需求。2020年，COVID-19大流行对全球多个行业产生了负面影响，包括高钾和ALD/CVD金属前体市场。因此，应对COVID-19大流行仍然是大多数半导体行业参与者在2020年面临的主要挑战。

由于新型冠状病毒感染症(covid -19)的封锁，世界各地的大部分制造工厂都关闭或关闭。由于封锁和相关的供应链中断，半导体行业在2020年上半年出现了下滑。虽然工厂在今年下半年重新开工，但高钾和ALD/CVD金属前体市场需要一段时间才能恢复到新冠疫情前的水平，预计反弹速度将较慢。这对大多数行业参与者构成了重大挑战。

然而，对快速访问和存储数据的需求不断增长，促使对具有更高介电值的材料的需求。的原子层沉积贵金属(如钌、铑、铱、钯和铂)的ALD研究有望成为一个活跃的研究领域。新型工业应用对多种薄膜材料的高需求可归因于ALD技术的快速发展。所有这些因素都有望在预测期内推动市场增长。

选择和设计合适的金属有机前驱体是成功开发新型金属有机前驱体的关键化学气相沉积(CVD)过程。买家更喜欢具有高介电常数的绝缘体，因为它们在现代半导体器件中起着几个关键作用，包括降低金属-绝缘体-半导体(MIS)场效应晶体管的功耗。对金属前体的需求，如铝、铪、钴、钛、钽、钨和锆，具有较高的介电常数，预计将在预测期内增加。

这种前体用于制造金属薄膜。由于其在非半导体领域的应用和半导体工业的快速发展，电致发光领域取得了长足的发展。原子层沉积是一种尖端的沉积方法，可以在特定的控制方式下沉积几纳米的超薄薄膜。此外，ALD除了提供埃级的厚度控制外，还在高纵横比结构中提供了出色的沉积共形性。

选择合适的前驱体是获得下一代缩放存储器和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件所需高k材料的主要挑战。这种半导体器件需要具有高长宽比和低沉积温度的共形薄膜。高温沉积技术可能导致复杂性，如非均匀层的附着力降低，层间原子扩散，形貌变化和结晶度变化。

技术的见解乐鱼APP二维码

根据技术，高k和CVD ALD金属前体市场分为互连，电容器和门。高k前驱体主要用于制造栅极和电容器，而金属前驱体用于制造电极和互连。互连部分在2020年占据了最大的市场份额，价值2.325亿美元。互连是一种制造技术，它使用铜(Cu)或铝(Al)来制作金属图案，并引入屏障金属层来保护硅(Si)免受集成电路(IC)中的潜在损坏。高k介电层在某些电子元件和器件中越来越普遍，例如先进的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、dram、有机薄膜晶体管、oled和非易失性类型的存储器件。高k金属栅极技术用于晶体管的缩放。

从2021年到2028年，门段预计将达到10.4%的最高复合年增长率。在ALD技术上已经进行了大量的研究，使用高k介电材料(如用于dram的Al2O3, Ta2O5, HfO2和ZrO2)，高k栅极氧化物和用于电极和互连的氮化物来生产薄膜。

当晶体管尺寸缩小到1.0 nm或以下厚度时，高k介电介质和金属栅极技术的结合可大大减少栅极泄漏。半导体公司在CMOS技术中使用的mosfet中采用高k金属栅极(HKMG)堆栈，以继续器件扩展到45纳米及以下节点。英特尔推出的主要技术包括增强通道应变、基于铪和高k栅极的电动栅极和双工作功能金属替代栅极。

区域的见解乐鱼APP二维码

亚太地区市场在2020年占据了最大的市场份额，价值3.094亿美元。由于中国对电子产品的需求高于平均水平以及电子设备生产继续外包给中国等因素，预计该地区将在预测期内继续占据主导地位。巴西、俄罗斯、印度和中国(金砖四国)经济体对半导体器件的需求不断增长，因为对低成本、高便携性和多样化的最终用途电子产品的需求不断增加，预计也将大大促进该地区市场的增长。

有利于美国市场增长的关键趋势是半导体行业中纳米技术的研发活动不断增加。此外，对制造半导体器件(如3d堆叠ic)的不断增长的需求，具有多方面的架构，并使用成本效益和无缝制造工艺(如ALD)生产，预计将推动该国的市场增长。

关键公司和市场份额洞察乐鱼APP二维码

这一市场上的知名公司包括液化空气集团;空气产品与化学品公司;普莱克斯;德国默克制药公司;陶氏化学公司。这些公司中的大多数都在使用收购和合作战略来扩大他们在全球市场的足迹。例如，2015年11月，默克公司收购了西格玛-奥尔德里奇，以投资其生命科学业务，并加强其无菌检测产品组合。收购完成后，SAFC Hitech业务与默克的高性能材料业务合并，预计将成为其集成电路业务部门的一部分。ALD设备和薄膜涂层服务提供商Beneq与过程创新中心(CPI)达成战略合作协议，将ALD技术用于印刷电子应用。在全球高钾和CVD ALD金属前体市场上经营的一些主要参与者包括:

• 法国液化空气公司

• 空气产品与化学品有限公司

• 普莱克斯

• 林德

• 陶氏化学公司

高k和CVD ALD金属前体市场报告范围

报告的属性	细节
乐鱼体育手机网站入口2021年市场规模价值	4.998亿美元
2028年的收入预测	7.611亿美元
增长速度	2021年至2028年复合年增长率为6.2%
估计基准年	2020
历史数据	2018 - 2019
预测期	2021 - 2028
量化单位	收入(百万美元)和复合年增长率(2021 - 2028年)
报告覆盖	收入预测，公司排名，竞争格局，增长因素和趋势
部分覆盖	技术、地区
区域范围	北美;欧洲;亚太地区;拉丁美洲;中东和非洲
国家范围	美国;加拿大;英国;德国;中国;印度;日本;巴西;墨西哥
主要公司简介	液化空气集团;空气产品与化学品公司;普莱克斯;林德;陶氏化学公司
自定义范围	购买时免费定制报告(相当于最多8个分析师工作日)。国家、地区和分部范围的增加或改变。
定价和购买选择	利用定制的购买选项，以满足您确切的研究需求。探索购买选择

报告所涵盖的部分

本报告预测了全球、地区和国家层面的收入增长，并分析了2018年至2028年每个子细分市场的最新行业趋势。在这项研究中，Grand Vie下载乐鱼体育平台w Research根据技术和地区对全球高k和CVD ALD金属前体市场报告进行了细分:

• 技术展望(收入，百万美元，2018 - 2028)

  • 互连

  • 电容器

  • 盖茨

• 区域展望(收入，百万美元，2018 - 2028)

  • 北美

    • 美国

    • 加拿大

  • 欧洲

    • 英国

    • 德国

  • 亚太地区

    • 中国

    • 印度

    • 日本

  • 拉丁美洲

    • 巴西

    • 墨西哥

  • 中东和非洲