由于其在医疗保健和军事等领域的应用日益增加，全球非易失性存储器市场预计将增长。这种内存越来越多地用于数据中心等关键应用程序，因为它们可以在没有持续电源供应的情况下进行存储。非易失性存储器主要用于长期辅助存储器。增加存储容量的技术进步预计将对市场增长产生积极影响。
不断增长的应用基础预计将在预测期内推动非易失性存储器市场。据估计，用非易失性存储器取代传统存储器将为市场增长提供途径。此外，所提供的优点，如高效功耗、高续航能力和更快的切换时间，预计将进一步有利于预测期内的市场增长。昂贵的新兴技术和低存储密度和容量可能会阻碍未来六年的市场增长。柔性电子设备的可用性可以为市场提供新的增长机会。
市场可以根据应用程序、内存类型和产品进行细分。目前业界广泛使用的存储器类型包括电阻存储器(Reram)、自旋转矩存储器(Spin-Transfer Torque RAM)、相变存储器(PCM)、铁电存储器(FRAM)、NAND闪存、可擦可编程只读存储器(Eprom)和EEPROM。NAND闪存容量大，成本低。预计在预测期内，FRAM和STT-RAM将成为关键技术。非易失性存储器用于各种应用，包括工业、交通、能源和电力、消费电子、医疗保健和军事等。产品部分包括智能卡、u盘、硬盘等。
在非易失性存储器市场上，只有雪崩技术公司、柏树半导体公司、Crossbar公司、富士通有限公司、美光技术公司、SK海力士公司、东芝公司、Everspin技术公司、英飞凌技术公司、三星电子、维京技术公司和德州仪器公司。2013年11月，富士通推出了4mbit FRAM，这是一种在医疗、打印机和工业设计中替代SRAM的非易失性存储器，是一种无电池解决方案，预计将降低系统的拥有和开发成本。
