全球3D NAND闪存市场预计将在预测期内大幅增长。3D NAND闪存是一种闪存，它将存储单元堆叠在一起，在更小的物理空间中提供更高的容量/体积比。它通过缩短电池之间的互连长度来最大限度地提高电效率。三星电子的3D V-NAND是有史以来第一个3D NAND闪存芯片。垂直堆叠的电池层利用电荷陷阱闪存(CTF)技术，使其能够在芯片上提供高达128 GB的内存。它的写性能是2D NAND的两倍，可扩展性是2D NAND的两倍，可靠性是2D NAND的十倍，从而提高了笔记本电脑、智能手机和平板电脑的性能和稳定性。3D NAND芯片也被用于固态硬盘(ssd)由于它们具有不需要电源就能保存数据的特点。3D NAND的制造过程比RRAM等替代技术更简单，因为它需要用于生产NAND的相同材料，而FRAM、MRAM、RRAM和其他技术需要新的材料，而这些材料还没有被很好地探索和理解。此外，它们还被广泛应用于消费电子产品和企业应用中。
主要智能手机制造商之间的竞争主要基于高性能。人口的迅速涌入智能手机，平板电脑，而笔记本电脑市场有望成为这一行业的关键驱动力。笔记本电脑制造商已经开始将这项技术集成到他们提供的一些高级笔记本电脑中。对提供大存储空间的数据存储设备的需求增加，预计将推动3D NAND闪存市场。对用于编程、监控、游戏和各种关键领域的高性能计算机的需求不断增长，预计将进一步推动3D NAND闪存市场的增长。从高端企业市场开始，V-NAND技术有望逐步取代平面NAND市场。在这些芯片的制造过程中所涉及的一些挑战是建造垂直互连的电池阵列，构建高大的多层结构，以及在整个晶圆上安装均匀厚度的层。此外，设备中的每一层都必须被绝缘层包围。
美光科技(Micron Technology)、三星电子(Samsung Electronics)、英特尔(Intel)、SK海力士(SK Hynix)、SanDisk (SanDisk)、东芝(Toshiba)等企业参与了此次活动。东芝和SanDisk计划通过开发新的晶圆工厂，开始3D NAND的生产。3D NAND芯片有望创造出能够存储1tb数据的嵌入式闪存。
